进一步破除阻碍要素自由流动、高效配置的体制机制障碍，改革举措加快落地：开展职务科技成果赋权、职务科技成果资产单列管理、科技成果评价3项改革试点，激发科研人员成果转化积极性；推动中长期资金入市，建立适配长期投资的考核制度；迭代发布5版市场准入负面清单，保障各类经营主体依法平等使用生产要素……
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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